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Samsung e IBM annunciano i chip "verticali": consumano pochissimo

Samsung e IBM hanno unito sapere e sforzi per ottenere, potenzialmente, i chip del futuro: ecco come funzionano e quali i vantaggi

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vtfet transistor verticali ibm samsung Fonte foto: IBM

L’innovazione comunicata da Samsung e IBM nei giorni scorsi attesta quali progressi potremmo ottenere se due colossi del loro calibro facessero più spesso fronte comune alle sfide che la tecnologia è chiamata ad affrontare. In futuro i chip cambieranno, e pure parecchio, e lo faranno così secondo Samsung e IBM.

Quella annunciata dai due colossi alla 67esima edizione dell’International Electron Devices Meeting (IEDM) è, potenzialmente, una rivoluzione di portata epocale. I due giganti dell’informatica e della tecnologia hanno spiegato al mondo di aver lavorato parecchio tempo per capire come si potesse regalare uno step evolutivo ai chip attuali con architettura FinFET. Che, è vero, migliorano di anno in anno, ma sempre più spesso si ha la sensazione che le differenze tra una generazione e la successiva siano via via più sfumate, e di conseguenza che siamo vicini ad un picco evolutivo oltre il quale non si potrà più andare.

Come sono i nuovi chip di Samsung e IBM

Così la conferenza di San Francisco, la IEDM, si è aperta con lo squillo di campane dell’innovazione targata Samsung – IBM. Si tratta di una nuova architettura per i chip, più tecnicamente di un nuovo design, che prevede un impilamento dei transistor, ovvero – semplificando di parecchio – i singoli dispositivi che materialmente, connessi l’un l’altro, realizzano i chip.

Nei prodotti attuali bisogna immaginare i transistor affiancati, come se fossero sistemati su un piano orizzontale, poggiati su una superficie (ovviamente in spazi infinitesimi). Questa architettura si chiama FinFET ed esiste da parecchi anni: tutti i chip più noti, anche i più recenti come Snapdragon 8 Gen 1 o MediaTek Dimensity 9000, sono realizzati con design FinFET.

Samsung e IBM vedono i chip di domani con una nuova architettura, denominata Vertical Transport Field Effect Transistors o VTFET, in termini più comprensibili dei chip in cui i transistor non sono più affiancati ma sistemati l’uno sull’altro. Nei FinFET la corrente attraversa il piano orizzontale da un lato all’altro dei chip, nei VTFET invece la corrente fluisce verticalmente, quindi dal vertice basso rappresentato dal transistor alla base a quello a fungere da vertice alto, quello più in alto.

I vantaggi dei chip “verticali”

Dalla nuova architettura VTFET, secondo Samsung e IBM, derivano almeno due vantaggi principali. Il primo, in soldoni, è che si potrà raddoppiare la potenza dei chip in meno di due anni, il secondo riguarda la maggiore efficienza ottenibile dal flusso “verticale” della corrente, quindi consumi inferiori a parità di potenza o potenze superiori a parità di consumi.

Questo è il vantaggio principale, almeno secondo le due aziende che hanno impressionato con la stima di un 85% di consumi in meno a parità di potenza con i chip attuali, il che significa, sempre secondo le stime di Samsung e IBM, che nel giro di qualche anno potremmo pure avvicinarci alla settimana di autonomia con una carica che garantivano prodotti gloriosi come il primo Nokia 3310.

Dire quanto bisognerà attendere affinché l’innovazione di Samsung e IBM si concretizzi è prematuro: le due non hanno fissato un orizzonte temporale entro cui la tecnologia VTFET arriverà sul mercato, ci auguriamo che arrivi presto.