Il package DRAM mobile da 8GB di Samsung, costituito da quattro dei più recenti chip di memoria LPDDR4 da 16 gigabit (2GB) realizzati con tecnologia di produzione a 10 nanometri, sarà in grado di rivaleggiare in termini di potenza con molti modelli di PC di fascia alta ultra-sottili.
La nuova memoria RAM da 8GB LPDDR4 è in grado di operare fino a 4.266 megabit al secondo (Mbps) che, facendo due conti, si traduce in una velocità ben due volte superiore alla DRAM DDR4 a bordo dei computer che, di solito, lavorano a 2.133 Mbps per pin. Se si ipotizza, inoltre, la presenza di un bus di memoria a 64 bit, la velocità di trasmissione dati potrebbe superare i 34 GB al secondo. La domanda, a questo punto, nasce spontanea: vedremo questa memoria super veloce sul futuro Galaxy S8? Samsung non conferma e non smentisce… Non resta che aspettare, presumibilmente, la prima metà del prossimo anno per saperne qualcosa di più.
Tutto merito della tecnologia a 10 nanometri
Il nuovo sistema produttivo a 10 nm è l’asso nella manica di Samsung. Si tratta, infatti, di una tecnologia che consente di aumentare il numeri di transistor presenti sui chip con un conseguente miglioramento della potenza elaborativa a fronte, però, di una riduzione non solo del consumo energetico, ma anche delle dimensioni complessive.
Fonte foto: webPrototipo del chip RAM
Com’è possibile tutto questo? Un modulo DRAM LPDDR4 – acronimo di Low Power, Double Data Rate 4 – con tecnologia a 10 nanometri consuma la stessa quantità di energia di un modulo da 4GB realizzato a 20 nm, ma si presenta più compatto – 15×15 mm con uno spessore di solo 1 mm – e consentirà ai produttori di smartphone e tablet di prossima generazione di aggiungere più funzionalità avendo più spazio a disposizione sui dispositivi.
